రాండమ్ ఏక్సెస్ మెమరీ

వికీపీడియా నుండి
Jump to navigation Jump to search
సామ్సంగ్ 0 1 జి.బి-డి.డి.ఆర్2-ల్యాప్ టాప్ ర్యామ్

రాండమ్ ఏక్సెస్ మెమరీ సాధారణ మెమరీ. కంప్యూటరు పనిచేసేటప్పుడు డేటా తాత్కాలికంగా ఇందులో నిల్వ ఉంటుంది. కంప్యూటరు ఆఫ్ చేయగానే ఇందులోని సమాచారమంతా చెరిగిపోతుంది. ఇది తాత్కాలిక మెమరీ. రాండమ్ ఏక్సెస్ మెమరీని సంక్షిప్తంగా ర్యామ్ (RAM) అంటారు.

రాండమ్ యాక్సెస్ మెమరీ అనేది కంప్యూటర్ మెమరీలో ఒక రూపం. ఈ మెమరీని ఏ క్రమంలోనైనా చదవవచ్చు, మార్చవచ్చు, సాధారణంగా డేటాను, మెషిన్ కోడ్‌ను నిల్వ చేయడానికి దీన్ని ఉపయోగిస్తారు. [1] [2] మెమరీ లోపల డేటా భౌతిక స్థానంతో సంబంధం లేకుండా డేటా అంశాలను దాదాపు ఒకే సమయంలో చదవడానికి లేదా వ్రాయడానికీ ఇది వీలు కలిగిస్తుంది. దీనికి విరుద్ధంగా, హార్డ్ డిస్క్‌లు, CD-RW లు, DVD-RW లు, పాత మాగ్నెటిక్ టేపులు, డ్రమ్ మెమరీ వంటి ఇతర డైరెక్ట్-యాక్సెస్ డేటా నిల్వ మాధ్యమాలలో, డేటా అంశాలను చదవడానికీ, రాయడానికీ పట్టే సమయం వాటి భౌతిక స్థానాలను బట్టి గణనీయంగా మారుతుంది. మీడియా భ్రమణ వేగం, చేయి కదలిక వంటి యాంత్రిక పరిమితులే దీనికి కారణం.

నేటి సాంకేతిక పరిజ్ఞానంలో, ర్యాండమ్ యాక్సెస్ మెమరీ MOS (మెటల్-ఆక్సైడ్-సెమీకండక్టర్) మెమరీ కణాలతో ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్ (IC) చిప్‌ల రూపంలో ఉంటుంది. RAM సాధారణంగా అస్థిర రకాలైన మెమరీలతో ( డైనమిక్ రాండమ్-యాక్సెస్ మెమరీ (DRAM) మాడ్యూల్స్ వంటివి ) సంబంధం కలిగి ఉంటుంది, దీనికి విద్యుత్తు సరఫరా ఆపెయ్యగానే దీనిలో నిల్వ ఉన్న సమాచారం పోతుంది. అయితే అస్థిరత లేని RAM ను కూడా అభివృద్ధి చేసాఉ. [3] రీడ్ ఆపరేషన్ల కోసం మాత్రమే ర్యాండం యాక్సెస్ ను అనుమతించే ఇతర రకాల అస్థిర మెమరీలు ఉన్నాయి. కానీ అవి రాసేందుకు పనికిరావు. అనేక రకాల రీడ్ ఓన్లీ మెమరీలు దీనికి ఉదాహరణలు.

రకాలు[మార్చు]

విస్తృతంగా ఉపయోగంలో ఉన్న రెండు ఆధునిక RAM రూపాలు స్టాటిక్ RAM (SRAM), డైనమిక్ RAM (DRAM). SRAM లో, ఆరు ట్రాన్సిస్టర్లున్న మెమరీ సెల్ స్థితిని ఉపయోగించి ఒక బిట్ డేటాను నిల్వ చేస్తాయి. ఇవి సాధారణంగా ఆరు MOSFET లను (మెటల్-ఆక్సైడ్-సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్లు) ఉపయోగిస్తాయి. RAM యొక్క ఈ రూపం చాలా ఖరీదైనది. కానీ సాధారణంగా వేగంగా ఉంటుంది. DRAM కన్నా తక్కువ డైనమిక్ శక్తి తీసుకుంటుంది. ఆధునిక కంప్యూటర్లలో, SRAM ను ఎక్కువగా CPU కాష్ మెమరీగా ఉపయోగిస్తున్నారు. DRAM అనేది ఒక ట్రాన్సిస్టర్, ఒక కెపాసిటర్ ల జంట (సాధారణంగా ఒక MOSFET, MOS కెపాసిటర్ ) ను ఉపయోగించి కొంత డేటాను నిల్వ చేస్తుంది. [4] ఈ రెంటినీ కలిపి DRAM సెల్‌ అంటారు. కెపాసిటర్ అధిక లేదా స్వల్ప ఛార్జ్ (వరుసగా 1 లేదా 0) కలిగి ఉంటుంది. ట్రాన్సిస్టర్ ఒక స్విచ్ లాగా పనిచేస్తుంది. ఇది చిప్‌లోని కంట్రోల్ సర్క్యూట్రీని కెపాసిటర్ యొక్క ఛార్జ్ స్థితిని చదవడానికి లేదా మార్చడానికి అనుమతిస్తుంది. ఈ రకమైన మెమరీ స్టాటిక్ ర్యామ్ కంటే తక్కువ ఖర్చుతో కూడుకున్నది కాబట్టి, ఆధునిక కంప్యూటర్లలో ఉపయోగించే కంప్యూటర్ మెమరీకి ప్రధాన రూపం ఇదే.

ఇవి కూడా చూడండి[మార్చు]

రీడ్ ఓన్లీ మెమరీ - (ROM)

మూలాలు[మార్చు]

  1. "RAM". Retrieved 11 July 2019.
  2. "RAM". Retrieved 11 July 2019.
  3. Gallagher, Sean (2013-04-04). "Memory that never forgets: non-volatile DIMMs hit the market". Ars Technica.
  4. Sze, Simon M. (2002). Semiconductor Devices: Physics and Technology (PDF) (2nd ed.). Wiley. p. 214. ISBN 0-471-33372-7.